Справочник MOSFET. RZR020P01

 

RZR020P01 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RZR020P01
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: TSMT3
 

 Аналог (замена) для RZR020P01

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RZR020P01 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:220K  rohm
 rzr020p01.pdf pdf_icon

RZR020P01

1.5V Drive Pch MOSFET RZR020P01 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT31.0MAX2.90.850.4 0.7(3) Features 1) Low on-resistance. (1) (2)2) Built-in G-S Protection Diode. 0.95 0.950.161.93) Small and Surface Mount Package (TSMT3). (1) Gate Each lead has same dimensions4) Low voltage drive (1.5V). (2) SourceAbbreviated symbol : ZE

 9.1. Size:191K  rohm
 rzr025p01.pdf pdf_icon

RZR020P01

RZR025P01 Transistors 1.5V Drive Pch MOSFET RZR025P01 Dimensions (Unit : mm) Features 1) Low On-resistance. TSMT31.0MAX2) Built-in G-S Protection Diode. 2.90.853) Small and Surface Mount Package (TSMT3). 0.4 0.74) Low voltage drive (1.5V). (3)( ) ( )1 20.95 0.95 Application 0.161.9Switching (1) Gate Each lead has same dimensions(2) SourceAbbrevi

Другие MOSFET... RYM002N05 , RYU002N05 , RZE002P02 , RZF013P01 , RZF020P01 , RZF030P01 , RZM002P02 , RZQ050P01 , IRFP250N , RZR025P01 , RZR040P01 , ZDS020N60 , ZDX130N50 , KP214A9 , KP501A , KP501B , KP501V .

History: WFD2N60B

 

 
Back to Top

 


 
.