RZR020P01 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: RZR020P01
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
Тип корпуса: TSMT3
Аналог (замена) для RZR020P01
RZR020P01 Datasheet (PDF)
rzr020p01.pdf
1.5V Drive Pch MOSFET RZR020P01 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT31.0MAX2.90.850.4 0.7(3) Features 1) Low on-resistance. (1) (2)2) Built-in G-S Protection Diode. 0.95 0.950.161.93) Small and Surface Mount Package (TSMT3). (1) Gate Each lead has same dimensions4) Low voltage drive (1.5V). (2) SourceAbbreviated symbol : ZE
rzr025p01.pdf
RZR025P01 Transistors 1.5V Drive Pch MOSFET RZR025P01 Dimensions (Unit : mm) Features 1) Low On-resistance. TSMT31.0MAX2) Built-in G-S Protection Diode. 2.90.853) Small and Surface Mount Package (TSMT3). 0.4 0.74) Low voltage drive (1.5V). (3)( ) ( )1 20.95 0.95 Application 0.161.9Switching (1) Gate Each lead has same dimensions(2) SourceAbbrevi
Другие MOSFET... RYM002N05 , RYU002N05 , RZE002P02 , RZF013P01 , RZF020P01 , RZF030P01 , RZM002P02 , RZQ050P01 , IRFB4115 , RZR025P01 , RZR040P01 , ZDS020N60 , ZDX130N50 , KP214A9 , KP501A , KP501B , KP501V .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G | AGM612S | AGM612MNA | AGM612MN | AGM612MBQ | AGM612MBP | AGM612D | AGM612AP
Popular searches
tip36c datasheet | 2sc461 | hy1906 | 2sc2238 | 2sc458 transistor | b649a transistor | 2sa606 | 2n3644



