2P525A9 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 2P525A9
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.14 A
Максимальная температура канала (Tj): 100 °C
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.4 Ohm
Тип корпуса: KT991
2P525A9 Datasheet (PDF)
5.1. 2p525.pdf 
Size:208K _integral
2П525 n-канальный МОП транзистор (предварительная спецификация) Назначение Транзистор 2П525А9 кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с изолированным затвором, с обогащенным n-каналом и встроенным обратносмещенн
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
