2P525A9 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры

   Наименование производителя: 2P525A9
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.14 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 100 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: KT991
     - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам