2P525A9 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: 2P525A9
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.14 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 100 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: KT991
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам