2P525A9 MOSFET. Datasheet pdf. Equivalent
Type Designator: 2P525A9
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 3 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 100 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 10 V
Maximum Drain Current |Id|: 1.14 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 100 °C
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 1.4 Ohm
Package: KT991
2P525A9 Transistor Equivalent Substitute - MOSFET Cross-Reference Search
2P525A9 Datasheet (PDF)
5.1. 2p525.pdf 
Size:208K _integral
2П525 n-канальный МОП транзистор (предварительная спецификация) Назначение Транзистор 2П525А9 кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с изолированным затвором, с обогащенным n-каналом и встроенным обратносмещенн
Datasheet: FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
