Справочник MOSFET. PT8205A

 

PT8205A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: PT8205A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.4 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 11 ns

Выходная емкость (Cd): 330 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.028 Ohm

Тип корпуса: TSSOP8

Аналог (замена) для PT8205A

 

PT8205A Datasheet (PDF)

1.1. pt8205a.pdf Size:2146K _htsemi

PT8205A
PT8205A

PT8205A 20V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET VDS= 20V RDS(ON), Vgs@ 2.5V, Ids@ 5.2A = 38m? RDS(ON), Vgs@ 4.5V, Ids@ 6A = 28m? Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance High Power and Current handing capability Ideal for Li ion battery pack applications 1 8 D1 D2 2 7 S1 S2 3 6 S1 S2 4 5 G1 G2 TSSOP-8 Millimete

4.1. pt8205.pdf Size:2427K _htsemi

PT8205A
PT8205A

PT8205 20V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET VDS= 20V RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@3.4A 46m? RDS(ON), Vgs@4.V, Ids@4.3A ? 30m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance High Power and Current handing capability Ideal for Li ion battery pack applications Package Dimensions SOT-163 Millimeter Millimeter REF. REF. Min. Ma

 

Другие MOSFET... NTD70N03R , NTE4151P , NTE4153N , NTF2955 , NTF3055-100 , NTF3055L108 , NTF5P03T3 , NTF6P02 , IRF740 , NTGD3148N , NTGD4161P , NTGD4167C , NTGS3130N , NTGS3136P , NTGS3433 , NTGS3441 , NTGS3443 .

 

 
Back to Top