PT8205A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PT8205A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.4 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 11 ns
Выходная емкость (Cd): 330 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.028 Ohm
Тип корпуса: TSSOP8
PT8205A Datasheet (PDF)
1.1. pt8205a.pdf 
Size:2146K _htsemi
PT8205A 20V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET VDS= 20V RDS(ON), Vgs@ 2.5V, Ids@ 5.2A = 38m? RDS(ON), Vgs@ 4.5V, Ids@ 6A = 28m? Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance High Power and Current handing capability Ideal for Li ion battery pack applications 1 8 D1 D2 2 7 S1 S2 3 6 S1 S2 4 5 G1 G2 TSSOP-8 Millimete
4.1. pt8205.pdf Size:2427K _htsemi
PT8205 20V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET VDS= 20V RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@3.4A 46m? RDS(ON), Vgs@4.V, Ids@4.3A ? 30m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance High Power and Current handing capability Ideal for Li ion battery pack applications Package Dimensions SOT-163 Millimeter Millimeter REF. REF. Min. Ma
Другие MOSFET... 2P7234A , 2P7234A-5 , SI2300 , SI2302 , SI2312 , XP151A13COMR , AO3400 , PT8205 , IRF5210 , PT8822 , PT4410 , PT9926 , SI2301 , SI2305 , XP152A12COMR , AO3401 , AO3407 .
