F5016H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: F5016H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm

Тип корпуса: TO220F5

Аналог (замена) для F5016H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

F5016H даташит

 9.1. Size:40K  fuji
 f5016 f5017 f5018 f5019 f5020 f5021 f5022 f5023 f5028 f5029 f5030 f5031 f5032 f5033 f5038 f5041 f5042 f5043 f5044 f9202 f9203 f9206 f9207 f9208 f9209.pdf pdf_icon

F5016H

MOSFET / P wer MOSFETs MOSFET P wer MOSFET F T I F T VDSS ID ID (pulse) RDS (on) PD VGSS VGS (th) Device type Max. Typ. Package Net mass Volts Amps. Amps. Ohms ( ) Watts Volts Volts Grams F5018 40 8 - 0.14 15 - - K-pack 0.6 F5019 40 12 - 0.14 30 - - T-pack 1.6 F5020 40 3

Другие IGBT... C2T225, C2T225A, DM601, DM616, ECG221, ECG454, ECG455, F5001H, IRFP460, F5017H, F5018, F5019, F5020, F5021H, F5022, F5023, F5026