SDF920NE. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SDF920NE
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 2.3 ns
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
Тип корпуса: DFN2X5
Аналог (замена) для SDF920NE
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SDF920NE даташит
sdf920ne.pdf
SDF920NE 11A, 20V, RDS(ON) 22 m Dual N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION DFN2x5 These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applicat
Другие MOSFET... U105D , 2N7002KDW , S2N7002 , S2N7002DW , S2N7002K , S2N7002KW , S2N7002W , SCG3019 , IRFB7545 , SDN520C , SFN423P , SGM0410S , SGM2305A , SGM2306A , SGM2310A , SGM3055 , SID05N10 .
History: PIP8205-Z6 | RUE002N02 | ASDM30N55E | JMSH0606AGQ | SUD50N04-09H | AP3N2R2MT-L | HD60N75
History: PIP8205-Z6 | RUE002N02 | ASDM30N55E | JMSH0606AGQ | SUD50N04-09H | AP3N2R2MT-L | HD60N75
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
2sa1210 | 2sc3792 | mps2907a transistor equivalent | 2sc1626 | b560 transistor | 2sc632a | c3856 | 30100 transistor