Справочник MOSFET. SDF920NE

 

SDF920NE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SDF920NE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.3 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X5
 

 Аналог (замена) для SDF920NE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SDF920NE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:753K  secos
 sdf920ne.pdf pdf_icon

SDF920NE

SDF920NE 11A, 20V, RDS(ON) 22 mDual N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION DFN2x5 These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applicat

 9.1. Size:164K  solitron
 sdf9230.pdf pdf_icon

SDF920NE

 9.2. Size:70K  solitron
 sdf9240.pdf pdf_icon

SDF920NE

Другие MOSFET... U105D , 2N7002KDW , S2N7002 , S2N7002DW , S2N7002K , S2N7002KW , S2N7002W , SCG3019 , 8N60 , SDN520C , SFN423P , SGM0410S , SGM2305A , SGM2306A , SGM2310A , SGM3055 , SID05N10 .

 

 
Back to Top

 


 
.