SDN520C - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SDN520C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.058 Ohm
Тип корпуса: DFN2X26L
Аналог (замена) для SDN520C
SDN520C Datasheet (PDF)
sdn520c.pdf

SDN520C N-Ch: 4.5 A, 20 V, RDS(ON) 58 m P-Ch: -4.5 A, -20 V, RDS(ON) 112 m Elektronische Bauelemente N & P-Channel Enhancement Mode MOSFET RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free DFN2x2-6L DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell Density trench process to provide low RDS(on)
Другие MOSFET... 2N7002KDW , S2N7002 , S2N7002DW , S2N7002K , S2N7002KW , S2N7002W , SCG3019 , SDF920NE , HY1906P , SFN423P , SGM0410S , SGM2305A , SGM2306A , SGM2310A , SGM3055 , SID05N10 , SID10N30-600I .
History: IPD25CN10N | IRF6811S | LSG80R980GT | AP4430GM-HF | SFG10S08DF | WM02P40M3
History: IPD25CN10N | IRF6811S | LSG80R980GT | AP4430GM-HF | SFG10S08DF | WM02P40M3



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sc3792 | mps2907a transistor equivalent | 2sc1626 | b560 transistor | 2sc632a | c3856 | 30100 transistor | 2sc1675