SDN520C - описание и поиск аналогов

 

SDN520C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SDN520C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.058 Ohm

Тип корпуса: DFN2X26L

Аналог (замена) для SDN520C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SDN520C даташит

 ..1. Size:79K  secos
 sdn520c.pdf pdf_icon

SDN520C

SDN520C N-Ch 4.5 A, 20 V, RDS(ON) 58 m P-Ch -4.5 A, -20 V, RDS(ON) 112 m Elektronische Bauelemente N & P-Channel Enhancement Mode MOSFET RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free DFN2x2-6L DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell Density trench process to provide low RDS(on)

Другие MOSFET... 2N7002KDW , S2N7002 , S2N7002DW , S2N7002K , S2N7002KW , S2N7002W , SCG3019 , SDF920NE , AON7403 , SFN423P , SGM0410S , SGM2305A , SGM2306A , SGM2310A , SGM3055 , SID05N10 , SID10N30-600I .

History: HY3410B

 

 

 

 

↑ Back to Top
.