Справочник MOSFET. SDN520C

 

SDN520C MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SDN520C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.058 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X26L

 Аналог (замена) для SDN520C

 

 

SDN520C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:79K  secos
 sdn520c.pdf

SDN520C SDN520C

SDN520C N-Ch: 4.5 A, 20 V, RDS(ON) 58 m P-Ch: -4.5 A, -20 V, RDS(ON) 112 m Elektronische Bauelemente N & P-Channel Enhancement Mode MOSFET RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free DFN2x2-6L DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell Density trench process to provide low RDS(on)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top