Справочник MOSFET. SDN520C

 

SDN520C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SDN520C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.058 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X26L
 

 Аналог (замена) для SDN520C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SDN520C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:79K  secos
 sdn520c.pdf pdf_icon

SDN520C

SDN520C N-Ch: 4.5 A, 20 V, RDS(ON) 58 m P-Ch: -4.5 A, -20 V, RDS(ON) 112 m Elektronische Bauelemente N & P-Channel Enhancement Mode MOSFET RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free DFN2x2-6L DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell Density trench process to provide low RDS(on)

Другие MOSFET... 2N7002KDW , S2N7002 , S2N7002DW , S2N7002K , S2N7002KW , S2N7002W , SCG3019 , SDF920NE , EMB04N03H , SFN423P , SGM0410S , SGM2305A , SGM2306A , SGM2310A , SGM3055 , SID05N10 , SID10N30-600I .

History: 2N4003K | 2SK2751 | IXFA130N10T2 | HSP4N65 | HRLO125N06K | SSW47N60S | IVN5001AND

 

 
Back to Top

 


 
.