Справочник MOSFET. SDN520C

 

SDN520C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SDN520C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.058 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X26L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SDN520C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:79K  secos
 sdn520c.pdf pdf_icon

SDN520C

SDN520C N-Ch: 4.5 A, 20 V, RDS(ON) 58 m P-Ch: -4.5 A, -20 V, RDS(ON) 112 m Elektronische Bauelemente N & P-Channel Enhancement Mode MOSFET RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free DFN2x2-6L DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell Density trench process to provide low RDS(on)

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: CET04N10 | STD3N30T4 | H5N2004DS | DMP22M2UPS-13

 

 
Back to Top

 


 
.