Справочник MOSFET. SID9575

 

SID9575 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SID9575
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для SID9575

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SID9575 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1357K  secos
 sid9575.pdf pdf_icon

SID9575

SID9575 -15A , -60V , RDS(ON) 90 m P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen-free TO-251 DESCRIPTION The SID9575 provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. FEATURES Simple Drive

Другие MOSFET... SGM2310A , SGM3055 , SID05N10 , SID10N30-600I , SID20N06-90I , SID3055 , SID40N03 , SID9435 , IRF740 , SID9971 , SJV01N60 , SMG1330N , SMG2301 , SMG2301P , SMG2302 , SMG2302N , SMG2305 .

History: MTP1N60 | STJ001SF | SI5441BDC | SML10B75XX | IRF7326D2 | LPM9030 | OSG65R1K4PF

 

 
Back to Top

 


 
.