Справочник MOSFET. SID9575

 

SID9575 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SID9575
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: TO251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SID9575 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1357K  secos
 sid9575.pdf pdf_icon

SID9575

SID9575 -15A , -60V , RDS(ON) 90 m P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen-free TO-251 DESCRIPTION The SID9575 provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. FEATURES Simple Drive

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: APTC60HM45SCTG | PNMET20V06E | SPD04N60C3 | OSG55R074HSZF | 2SK1501 | DH026N06D | FDC654P

 

 
Back to Top

 


 
.