SID9575 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SID9575
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 36 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 15 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 17 nC
Время нарастания (tr): 19 ns
Выходная емкость (Cd): 160 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.09 Ohm
Тип корпуса: TO251
SID9575 Datasheet (PDF)
..1. Size:1357K secos
sid9575.pdf
sid9575.pdf
SID9575 -15A , -60V , RDS(ON) 90 m P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen-free TO-251 DESCRIPTION The SID9575 provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. FEATURES Simple Drive
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
