SMG2305 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SMG2305
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.2 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 3.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 167 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.053 Ohm
Тип корпуса: SC59
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SMG2305 Datasheet (PDF)
smg2305.pdf

SMG2305-4.2A, -20V,RDS(ON) 65mElektronische Bauelemente P-Channel Enhancement Mode Power Mos.FETRoHS Compliant ProductA suffix of -C specifies halogen & lead-freeDescriptionSC-59ADim Min MaxThe SMG2305 provide the designer with the best Lcombination of fast switching, low on-resistance A 2.70 3.103and cost-effectiveness. B 1.40 1.60SBTop View2 1
smg2305p.pdf

SMG2305P -4.5A , -20V , RDS(ON) 43 m P-Channel Enhancement MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION SC-59 These miniature surface mount MOSFETs utilize a high Acell density trench process to provide low RDS(on) and to Lensure minimal power loss and heat dissipation. 33Top
smg2305pe.pdf

SMG2305PE -4.5 A, -20 V, RDS(ON) 43 m P-Channel Enhancement MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION SC-59 These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ALensure minimal power loss and heat dissipation. Typical 33applicat
smg2305l.pdf

FM120-M WILLASSMG2305LTHRUP-Channel Enhancement Mode Power Mos.FETFM1200-M 1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS -20V- 200VSOD-123 PACKAGE Pb Free ProductPackage outlineFeatures Batch process design, excellent power dissipation offers better rDescriptioneverse leakage current and thermal resistance. SOD-123HSC-59 Low profile surface mounted applic
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: IPU80R600P7 | PJM3407PSA | MXP1008AT | SI1402DH | 2N4338 | STU60N55F3 | NCE01P30I
History: IPU80R600P7 | PJM3407PSA | MXP1008AT | SI1402DH | 2N4338 | STU60N55F3 | NCE01P30I



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
f1010e mosfet | 2sc3883 | c3306 datasheet | hy3810 | c711 transistor | k3599 transistor datasheet | 2sc1735 | transistor 2sc5200