SMG2305. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SMG2305
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 3.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 167 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.053 Ohm
Тип корпуса: SC59
Аналог (замена) для SMG2305
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SMG2305 даташит
smg2305.pdf
SMG2305 -4.2A, -20V,RDS(ON) 65m Elektronische Bauelemente P-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free Description SC-59 A Dim Min Max The SMG2305 provide the designer with the best L combination of fast switching, low on-resistance A 2.70 3.10 3 and cost-effectiveness. B 1.40 1.60 S B Top View 2 1
smg2305p.pdf
SMG2305P -4.5A , -20V , RDS(ON) 43 m P-Channel Enhancement MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION SC-59 These miniature surface mount MOSFETs utilize a high A cell density trench process to provide low RDS(on) and to L ensure minimal power loss and heat dissipation. 3 3 Top
smg2305pe.pdf
SMG2305PE -4.5 A, -20 V, RDS(ON) 43 m P-Channel Enhancement MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION SC-59 These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to A L ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical 3 3 applicat
smg2305l.pdf
FM120-M WILLAS SMG2305L THRU P-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET FM1200-M 1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS -20V- 200V SOD-123 PACKAGE Pb Free Product Package outline Features Batch process design, excellent power dissipation offers better r Descriptioneverse leakage current and thermal resistance. SOD-123H SC-59 Low profile surface mounted applic
Другие MOSFET... SID9575 , SID9971 , SJV01N60 , SMG1330N , SMG2301 , SMG2301P , SMG2302 , SMG2302N , IRF640 , SMG2305P , SMG2305PE , SMG2306A , SMG2306N , SMG2306NE , SMG2310A , SMG2310N , SMG2314N .
History: APT10026L2LL
History: APT10026L2LL
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
f1010e mosfet | 2sc3883 | c3306 datasheet | hy3810 | c711 transistor | k3599 transistor datasheet | 2sc1735 | transistor 2sc5200




