SMG2305 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SMG2305
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.38 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 0.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 10.6 nC
Время нарастания (tr): 3.6 ns
Выходная емкость (Cd): 167 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.053 Ohm
Тип корпуса: SC59
SMG2305 Datasheet (PDF)
smg2305.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SMG2305-4.2A, -20V,RDS(ON) 65mElektronische Bauelemente P-Channel Enhancement Mode Power Mos.FETRoHS Compliant ProductA suffix of -C specifies halogen & lead-freeDescriptionSC-59ADim Min MaxThe SMG2305 provide the designer with the best Lcombination of fast switching, low on-resistance A 2.70 3.103and cost-effectiveness. B 1.40 1.60SBTop View2 1
smg2305p.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SMG2305P -4.5A , -20V , RDS(ON) 43 m P-Channel Enhancement MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION SC-59 These miniature surface mount MOSFETs utilize a high Acell density trench process to provide low RDS(on) and to Lensure minimal power loss and heat dissipation. 33Top
smg2305pe.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SMG2305PE -4.5 A, -20 V, RDS(ON) 43 m P-Channel Enhancement MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION SC-59 These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ALensure minimal power loss and heat dissipation. Typical 33applicat
smg2305l.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
FM120-M WILLASSMG2305LTHRUP-Channel Enhancement Mode Power Mos.FETFM1200-M 1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS -20V- 200VSOD-123 PACKAGE Pb Free ProductPackage outlineFeatures Batch process design, excellent power dissipation offers better rDescriptioneverse leakage current and thermal resistance. SOD-123HSC-59 Low profile surface mounted applic
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: ME2325S-G