SMG2305PE - описание и поиск аналогов

 

SMG2305PE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SMG2305PE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.043 Ohm

Тип корпуса: SC59

Аналог (замена) для SMG2305PE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SMG2305PE даташит

 ..1. Size:616K  secos
smg2305pe.pdfpdf_icon

SMG2305PE

SMG2305PE -4.5 A, -20 V, RDS(ON) 43 m P-Channel Enhancement MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION SC-59 These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to A L ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical 3 3 applicat

 6.1. Size:65K  secos
smg2305p.pdfpdf_icon

SMG2305PE

SMG2305P -4.5A , -20V , RDS(ON) 43 m P-Channel Enhancement MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION SC-59 These miniature surface mount MOSFETs utilize a high A cell density trench process to provide low RDS(on) and to L ensure minimal power loss and heat dissipation. 3 3 Top

 7.1. Size:926K  secos
smg2305.pdfpdf_icon

SMG2305PE

SMG2305 -4.2A, -20V,RDS(ON) 65m Elektronische Bauelemente P-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free Description SC-59 A Dim Min Max The SMG2305 provide the designer with the best L combination of fast switching, low on-resistance A 2.70 3.10 3 and cost-effectiveness. B 1.40 1.60 S B Top View 2 1

 7.2. Size:680K  willas
smg2305l.pdfpdf_icon

SMG2305PE

FM120-M WILLAS SMG2305L THRU P-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET FM1200-M 1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS -20V- 200V SOD-123 PACKAGE Pb Free Product Package outline Features Batch process design, excellent power dissipation offers better r Descriptioneverse leakage current and thermal resistance. SOD-123H SC-59 Low profile surface mounted applic

Другие MOSFET... SJV01N60 , SMG1330N , SMG2301 , SMG2301P , SMG2302 , SMG2302N , SMG2305 , SMG2305P , IRLZ44N , SMG2306A , SMG2306N , SMG2306NE , SMG2310A , SMG2310N , SMG2314N , SMG2314NE , SMG2318N .

History: SMG2305 | AP3N1R7MT | JMSL0315ARD | BSZ0908ND | HM4441 | 2SK1669 | FDB045AN08A0-F085

 

 

 

 

↑ Back to Top
.