SMG2330N - описание и поиск аналогов

 

SMG2330N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SMG2330N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm

Тип корпуса: SC59

Аналог (замена) для SMG2330N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SMG2330N даташит

 ..1. Size:65K  secos
smg2330n.pdfpdf_icon

SMG2330N

SMG2330N 5.2A, 30V, RDS(ON) 32m N-Channel Enhancement MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SC-59 DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize High A Cell Density process. Low RDS(on) assures minimal power L loss and conserves energy, making this device ideal for 3 3 use

 8.1. Size:407K  secos
smg2334n.pdfpdf_icon

SMG2330N

SMG2334N 3.5A, 30V, RDS(ON) 60m N-Channel Enhancement MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION SC-59 These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and A L to ensure minimal power loss and heat dissipation. 3 3 Top View C B 1 1 2

 8.2. Size:68K  secos
smg2336n.pdfpdf_icon

SMG2330N

SMG2336N 2.5 A, 30 V, RDS(ON) 32 m N-Channel Enhancement MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION SC-59 These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. A L 3 3 Top

 8.3. Size:291K  secos
smg2334ne.pdfpdf_icon

SMG2330N

SMG2334NE 3.5A , 30V , RDS(ON) 58 m N-Channel Enhancement MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SC-59 DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a high A cell density trench process to provide low RDS(on) and to L ensure minimal power loss and heat dissipation. 3 3 Top View C B 1 1

Другие MOSFET... SMG2322N , SMG2325P , SMG2326N , SMG2327P , SMG2328 , SMG2328NE , SMG2328S , SMG2329P , STP75NF75 , SMG2334N , SMG2334NE , SMG2336N , SMG2339P , SMG2340N , SMG2340NE , SMG2342N , SMG2342NE .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.