Справочник MOSFET. SMG2330N

 

SMG2330N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SMG2330N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
   Тип корпуса: SC59
 

 Аналог (замена) для SMG2330N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SMG2330N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:65K  secos
 smg2330n.pdf pdf_icon

SMG2330N

SMG2330N 5.2A, 30V, RDS(ON) 32m N-Channel Enhancement MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SC-59 DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize High ACell Density process. Low RDS(on) assures minimal power Lloss and conserves energy, making this device ideal for 33use

 8.1. Size:407K  secos
 smg2334n.pdf pdf_icon

SMG2330N

SMG2334N 3.5A, 30V, RDS(ON) 60m N-Channel Enhancement MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION SC-59 These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and AL to ensure minimal power loss and heat dissipation. 33Top View C B11 2

 8.2. Size:68K  secos
 smg2336n.pdf pdf_icon

SMG2330N

SMG2336N 2.5 A, 30 V, RDS(ON) 32 m N-Channel Enhancement MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION SC-59 These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. AL33Top

 8.3. Size:291K  secos
 smg2334ne.pdf pdf_icon

SMG2330N

SMG2334NE 3.5A , 30V , RDS(ON) 58 m N-Channel Enhancement MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SC-59 DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a high Acell density trench process to provide low RDS(on) and to Lensure minimal power loss and heat dissipation. 33 Top View C B11

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SMG2322N , SMG2325P , SMG2326N , SMG2327P , SMG2328 , SMG2328NE , SMG2328S , SMG2329P , 12N60 , SMG2334N , SMG2334NE , SMG2336N , SMG2339P , SMG2340N , SMG2340NE , SMG2342N , SMG2342NE .

 

 
Back to Top

 


 
.