SMG5403 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SMG5403
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.38 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2.6 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 4.6 ns
Выходная емкость (Cd): 55 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.115 Ohm
Тип корпуса: SC59
SMG5403 Datasheet (PDF)
smg5403.pdf
SMG5403 -2.6A , -30V , RDS(ON) 115 m P-Channel Enhancement Mode MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free DESCRIPTION SC-59 The SMG5403 uses advanced trench technology to Aprovide excellent on-resistance with low gate change. L3The device is suitable for use as a load switch or in P
smg5406.pdf
SMG5406 3.6A , 30V , RDS(ON) 65 m N-Channel Enhancement Mode MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free SC-59 DESCRIPTION The SMG5406 utilized advanced processing ALtechniques to achieve the lowest possible on-resistance, 33extremely efficient and cost-effectiveness device. The To
smg5409.pdf
SMG5409 -2.6A , -30V , RDS(ON) 120 m P-Channel Enhancement Mode MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free SC-59 DESCRIPTION AThe SMG5409 provide the designer with best combination L3of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. 3The SMG5409 is universally preferred f
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
