Справочник MOSFET. SMS318

 

SMS318 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SMS318
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.22 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 13 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SMS318 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:84K  secos
 sms318.pdf pdf_icon

SMS318

SMS318 220mA, 50V, RDS(ON) 3.5 N-Channel Enhancement MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOT-23 FEATURES Low On-Resistance A Low Gate Threshold Voltage L3 Low Input Capacitance 3 Fast Switching Speed Top ViewC B Low Input/Output Leakage 11 2 2K EMECHANICAL DATA

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: HFP8N65S | HFS18N50U

 

 
Back to Top

 


 
.