SSD02N65 - описание и поиск аналогов

 

SSD02N65. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSD02N65

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SSD02N65

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSD02N65 даташит

 ..1. Size:1443K  secos
 ssd02n65.pdf pdf_icon

SSD02N65

SSD02N65 2A , 650V , RDS(ON) 8 N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen free TO-252(D-Pack) DESCRIPTION The SSD02N65 is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , which provide excellent RDS(on) and gate charge for most of the synchronous buck converter ap

Другие MOSFET... SMG3403 , SMG3407 , SMG5403 , SMG5406 , SMG5409 , SMS318 , SMS4003K , SMS840 , 2SK3568 , SSD10N20-400D , SSD12P10 , SSD15N10 , SSD20N06-90D , SSD20N10-250D , SSD20N15-250D , SSD20P06-135D , SSD2504 .

History: MSC37N03 | TPC8210 | LSGE15R085W3 | F3S90HVX2 | SKSS063N08N | PSMN3R0-30YLD

 

 

 

 

↑ Back to Top
.