Справочник MOSFET. SSD02N65

 

SSD02N65 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSD02N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для SSD02N65

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSD02N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1443K  secos
 ssd02n65.pdf pdf_icon

SSD02N65

SSD02N65 2A , 650V , RDS(ON) 8 N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen free TO-252(D-Pack) DESCRIPTION The SSD02N65 is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , which provide excellent RDS(on) and gate charge for most of the synchronous buck converter ap

Другие MOSFET... SMG3403 , SMG3407 , SMG5403 , SMG5406 , SMG5409 , SMS318 , SMS4003K , SMS840 , 5N65 , SSD10N20-400D , SSD12P10 , SSD15N10 , SSD20N06-90D , SSD20N10-250D , SSD20N15-250D , SSD20P06-135D , SSD2504 .

History: MTD5P06VT4

 

 
Back to Top

 


 
.