Справочник MOSFET. SSD10N20-400D

 

SSD10N20-400D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSD10N20-400D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для SSD10N20-400D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSD10N20-400D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:377K  secos
 ssd10n20-400d.pdf pdf_icon

SSD10N20-400D

SSD10N20-400D N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET 9.2A, 200V, RDS(ON) 400m Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen free DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench TO-252(D-Pack)process to provide Low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications ar

Другие MOSFET... SMG3407 , SMG5403 , SMG5406 , SMG5409 , SMS318 , SMS4003K , SMS840 , SSD02N65 , STP80NF70 , SSD12P10 , SSD15N10 , SSD20N06-90D , SSD20N10-250D , SSD20N15-250D , SSD20P06-135D , SSD2504 , SSD2504S .

History: KP809G1 | SI7101DN | SFP13N50 | STI33N65M2 | TK8P60W5 | IRFB4310PBF | NCEP18N10AR

 

 
Back to Top

 


 
.