SSD10N20-400D - описание и поиск аналогов

 

SSD10N20-400D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSD10N20-400D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SSD10N20-400D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSD10N20-400D даташит

 ..1. Size:377K  secos
 ssd10n20-400d.pdf pdf_icon

SSD10N20-400D

SSD10N20-400D N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET 9.2A, 200V, RDS(ON) 400m Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen free DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench TO-252(D-Pack) process to provide Low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications ar

Другие MOSFET... SMG3407 , SMG5403 , SMG5406 , SMG5409 , SMS318 , SMS4003K , SMS840 , SSD02N65 , 10N65 , SSD12P10 , SSD15N10 , SSD20N06-90D , SSD20N10-250D , SSD20N15-250D , SSD20P06-135D , SSD2504 , SSD2504S .

History: AS2310 | LSGE15R085W3 | LSGE085R065W3 | HM2301B

 

 

 

 

↑ Back to Top
.