Справочник MOSFET. SSD15N10

 

SSD15N10 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SSD15N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для SSD15N10

 

 

SSD15N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:579K  secos
 ssd15n10.pdf

SSD15N10 SSD15N10

SSD15N10 15A, 100V, RDS(ON) 110m N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen free TO-252(D-Pack)DESCRIPTION The SSD15N10 provide the designer with the best combination of fast switching. The TO-252 package is universally preferred for all commercial-industrial surface mount applications. The

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top