SSD15N10 - описание и поиск аналогов

 

SSD15N10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSD15N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SSD15N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSD15N10 даташит

 ..1. Size:579K  secos
 ssd15n10.pdf pdf_icon

SSD15N10

SSD15N10 15A, 100V, RDS(ON) 110m N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen free TO-252(D-Pack) DESCRIPTION The SSD15N10 provide the designer with the best combination of fast switching. The TO-252 package is universally preferred for all commercial-industrial surface mount applications. The

Другие MOSFET... SMG5406 , SMG5409 , SMS318 , SMS4003K , SMS840 , SSD02N65 , SSD10N20-400D , SSD12P10 , RFP50N06 , SSD20N06-90D , SSD20N10-250D , SSD20N15-250D , SSD20P06-135D , SSD2504 , SSD2504S , SSD3055 , SSD30N03-40D .

History: AGM301C1

 

 

 

 

↑ Back to Top
.