Справочник MOSFET. SSD15N10

 

SSD15N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSD15N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для SSD15N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSD15N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:579K  secos
 ssd15n10.pdf pdf_icon

SSD15N10

SSD15N10 15A, 100V, RDS(ON) 110m N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen free TO-252(D-Pack)DESCRIPTION The SSD15N10 provide the designer with the best combination of fast switching. The TO-252 package is universally preferred for all commercial-industrial surface mount applications. The

Другие MOSFET... SMG5406 , SMG5409 , SMS318 , SMS4003K , SMS840 , SSD02N65 , SSD10N20-400D , SSD12P10 , SKD502T , SSD20N06-90D , SSD20N10-250D , SSD20N15-250D , SSD20P06-135D , SSD2504 , SSD2504S , SSD3055 , SSD30N03-40D .

History: IPP072N10N3 | DAMH560N100

 

 
Back to Top

 


 
.