SSD30N06-39D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SSD30N06-39D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 8 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm
Тип корпуса: TO252
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SSD30N06-39D Datasheet (PDF)
ssd30n06-39d.pdf

SSD30N06-39D N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET 30A, 60V, RDS(ON) 38 m Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen free TO-252(D-Pack)DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are
ssd30n03-40d.pdf

SSD30N03-40D N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET 34A, 30V, RDS(ON) 26m Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen free DESCRIPTION TO-252(D-Pack) These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide Low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. FEATURES
ssd30n10-50d.pdf

SSD30N10-50D 26A, 100V, RDS(ON) 50m N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen free TO-252(D-Pack)DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. FEATURES Low R
ssd30n10-70d.pdf

SSD30N10-70D N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET 21A, 100V, RDS(ON) 78 m Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen free TO-252(D-Pack)KEY FEATURES Low RDS(on) trench technology Low thermal impedance Fast switching speed Typical Applications PoE Power Sourcing Equipment PoE Powered Devices ACB
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: F10F50VX2 | IXFX30N110P | PNMET20V06E | OSG55R074HSZF | 2SK1501 | HGT022N12S | FDC654P
History: F10F50VX2 | IXFX30N110P | PNMET20V06E | OSG55R074HSZF | 2SK1501 | HGT022N12S | FDC654P



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2n3567 | 2sc1226 | 2sd180 | 2sd235 | k3502 datasheet | p0903bdg datasheet | 2sa722 | f1010e mosfet datasheet