SSE90N08-08 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SSE90N08-08
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 45 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 449 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для SSE90N08-08
SSE90N08-08 Datasheet (PDF)
sse90n08-08.pdf
SSE90N08-08 90A , 80V , RDS(ON) 11m N-Channel Enhancement Mode MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free TO-220P FEATURES D Low RDS(on) trench technology. C Low thermal impedance BR Fast Switch Speed. TAE SGF IAPPLICATIONS H White LED boost converters JKL Auto
sse90n06-30p.pdf
SSE90N06-30P N-Channel Enhancement Mode Mos.FET 87 A, 60 V, RDS(ON) 26.5 m Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free TO-220P DESCRIPTION D These miniature surface mount MOSFETs utilize High Cell Density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss C and heat dissipation. Typical ap
sse90n04-03p.pdf
SSE90N04-03P 90A , 40V , RDS(ON) 5 m N-Channel Enhancement Mode MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free DESCRIPTION TO-220P These miniature surface mount MOSFETs utilize a B Nhigh cell density trench process to provide low RDS(on) Dand to ensure minimal power loss and heat dissipation. EFEATURES
sse90n06-10p.pdf
SSE90N06-10P 90A , 60V , RDS(ON) 9.9 m N-Channel Enhancement Mode MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free TO-220P DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a DHigh Cell Density trench process to provide low RDS(on) Cand to ensure minimal power loss and heat dissipation. BRTA
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918