SSG4542C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SSG4542C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 14 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 9(16) ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 272(278) pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для SSG4542C
SSG4542C Datasheet (PDF)
ssg4542c.pdf

SSG4542C N-Ch: 8.3 A, 40 V, RDS(ON) 14 mP-Ch: -7.6 A, -40 V, RDS(ON) 28 mElektronische Bauelemente N & P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION SOP-8 These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal powe
ssg4543c.pdf

SSG4543C N-Ch: 6.5 A, 40 V, RDS(ON) 32 mP-Ch: -7.6 A, -40 V, RDS(ON) 30 mElektronische Bauelemente N & P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION SOP-8 These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal powe
ssg4503.pdf

SSG4503N Channel 6.9A, 30V,RDS(ON) 28m P Channel -6.3A, -30V,RDS(ON) 36m Elektronische Bauelemente Enhancement Mode Power Mos.FETRoHS Compliant ProductSOP-8Description0.190.250.400.90o0.375 REFThe SSG4503 provide the designer with the best combination of fast switching, 6.205.800.25ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
ssg4512ce.pdf

SSG4512CE N & P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET N-Ch: 6.9 A, 30 V, RDS(ON) 31 m Elektronische Bauelemente P-Ch: -5.2 A, -30 V, RDS(ON) 52 m RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOP-8 DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a Bhigh cell density trench process to provide low RDS(on)
Другие MOSFET... SSG4502CE , SSG4503 , SSG4505 , SSG4510 , SSG4512CE , SSG4520H , SSG4530C , SSG4536C , 2SK3568 , SSG4543C , SSG4639STM , SSG4801 , SSG4825P , SSG4825PE , SSG4835P , SSG4841P , SSG4842N .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2sb549 | 5n50 mosfet equivalent | a1016 transistor | a1693 transistor | a933 datasheet | c535 transistor | irf3205 reemplazo | mpsu06