FA38SA50LC. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FA38SA50LC

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm

Тип корпуса: SOT227

Аналог (замена) для FA38SA50LC

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FA38SA50LC даташит

 ..1. Size:171K  international rectifier
 fa38sa50lc.pdf pdf_icon

FA38SA50LC

PD - 91615B FA38SA50LC HEXFET Power MOSFET Fully Isolated Package D Easy to Use and Parallel VDSS = 500V Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating RDS(on) = 0.13 Fully Avalanche Rated G Simple Drive Requirements ID = 38A Low Drain to Case Capacitance S Low Internal Inductance Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with

 0.1. Size:170K  vishay
 fa38sa50lcp.pdf pdf_icon

FA38SA50LC

FA38SA50LCP www.vishay.com Vishay Semiconductors Power MOSFET, 38 A FEATURES Fully isolated package Easy to use and parallel Low on-resistance Dynamic dV/dt rating Fully avalanche rated Simple drive requirements SOT-227 Low drain to case capacitance Low internal inductance UL approved file E78996 Designed for industrial level Material

 6.1. Size:120K  international rectifier
 fa38sa50.pdf pdf_icon

FA38SA50LC

PD 9.1615 FA38SA50 PRELIMINARY HEXFET Power MOSFET Fully Isolated Package D Easy to Use and Parallel VDSS = 500V Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating RDS(on) = 0.13 Fully Avalanche Rated G Simple Drive Requirements ID = 38A Low Drain to Case Capacitance S Low Internal Inductance Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the desi

 6.2. Size:194K  vishay
 fa38sa50.pdf pdf_icon

FA38SA50LC

FA38SA50LCP Vishay Semiconductors Power MOSFET, 38 A FEATURES Fully isolated package Easy to use and parallel Low on-resistance Dynamic dV/dt rating Fully avalanche rated SOT-227 Simple drive requirements Low drain to case capacitance Low internal inductance UL pending Compliant to RoHS directive 2002/95/EC Designed for industrial level

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... F5027, F5028, F5029, F5030, F5031, F5032, F5033, F5038H, 7N65, FA57SA50LC, FB180SA10, AO3423B, AS2306, FDB4020P, FDB4030L, FDB5680, FDB5690