FA38SA50LC MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FA38SA50LC
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 500 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 38 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 280 nC
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.13 Ohm
Тип корпуса: SOT227
Аналог (замена) для FA38SA50LC
FA38SA50LC Datasheet (PDF)
fa38sa50lc.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
PD - 91615BFA38SA50LCHEXFET Power MOSFET Fully Isolated PackageD Easy to Use and ParallelVDSS = 500V Low On-Resistance Dynamic dv/dt RatingRDS(on) = 0.13 Fully Avalanche RatedG Simple Drive RequirementsID = 38A Low Drain to Case CapacitanceS Low Internal InductanceDescriptionThird Generation HEXFETs from International Rectifierprovide the designer with
fa38sa50lcp.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
FA38SA50LCPwww.vishay.comVishay SemiconductorsPower MOSFET, 38 AFEATURES Fully isolated package Easy to use and parallel Low on-resistance Dynamic dV/dt rating Fully avalanche rated Simple drive requirementsSOT-227 Low drain to case capacitance Low internal inductance UL approved file E78996 Designed for industrial level Material
fa38sa50.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
PD 9.1615FA38SA50PRELIMINARYHEXFET Power MOSFET Fully Isolated PackageD Easy to Use and ParallelVDSS = 500V Low On-Resistance Dynamic dv/dt RatingRDS(on) = 0.13 Fully Avalanche RatedG Simple Drive RequirementsID = 38A Low Drain to Case CapacitanceS Low Internal InductanceDescriptionThird Generation HEXFETs from International Rectifierprovide the desi
fa38sa50.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
FA38SA50LCPVishay SemiconductorsPower MOSFET, 38 AFEATURES Fully isolated package Easy to use and parallel Low on-resistance Dynamic dV/dt rating Fully avalanche ratedSOT-227 Simple drive requirements Low drain to case capacitance Low internal inductance UL pending Compliant to RoHS directive 2002/95/EC Designed for industrial level
Другие MOSFET... F5027 , F5028 , F5029 , F5030 , F5031 , F5032 , F5033 , F5038H , STP75NF75 , FA57SA50LC , FB180SA10 , AO3423B , AS2306 , FDB4020P , FDB4030L , FDB5680 , FDB5690 .
History: AO3423B