SSG4930N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSG4930N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.058 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для SSG4930N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSG4930N даташит

 ..1. Size:453K  secos
 ssg4930n.pdf pdf_icon

SSG4930N

SSG4930N 5 A, 30 V, RDS(ON) 58 m Dual N-Channel Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION SOP-8 These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to B provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications a

 8.1. Size:146K  secos
 ssg4932n.pdf pdf_icon

SSG4930N

SSG4932N 10 A, 30 V, RDS(ON) 13.5 m Dual N-Channel Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs SOP-8 utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical B application

 8.2. Size:120K  secos
 ssg4934n.pdf pdf_icon

SSG4930N

SSG4934N 8.9 A, 30 V, RDS(ON) 58 m Dual N-Channel Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION SOP-8 These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to B provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical

 8.3. Size:458K  secos
 ssg4935p.pdf pdf_icon

SSG4930N

SSG4935P P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET -7.8 A, -30 V, RDS(ON) 21 m Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs SOP-8 utilize high cell density process. Low RDS(on) assures minimal power loss and conserves B energy, making this device ideal for use in power m

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SSG4841P, SSG4842N, SSG4874N, SSG4890N, SSG4902N, SSG4902NA, SSG4910N, SSG4920N, STP80NF70, SSG4932N, SSG4934N, SSG4935P, SSG4940N, SSG4940NC, SSG4942N, SSG4953, SSG4953P