SSG4953P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SSG4953P  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.8 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.052 Ohm

Тип корпуса: SOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SSG4953P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSG4953P даташит

 ..1. Size:596K  secos
ssg4953p.pdfpdf_icon

SSG4953P

SSG4953P -5.2 A, -30 V, RDS(ON) 52 m Dual P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION SOP-8 These miniature surface mount MOSFETs utilize high cell density process. Low RDS(on) B assures minimal power loss and conserves energy, making this device ideal for use in po

 7.1. Size:534K  secos
ssg4953.pdfpdf_icon

SSG4953P

SSG4953 -5A, -30V,RDS(ON) 53m Elektronische Bauelemente P-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET RoHS Compliant Product A suffix of "-C" specifies halogen & lead-free SOP-8 Description 0.19 0.25 0.40 0.90 o The SSG4953 provide the designer with the best Combination of fast switching, 0.375 REF ruggedized device design, Ultra low on-resistance and cost-effectiveness. 6.

 9.1. Size:106K  secos
ssg4940n.pdfpdf_icon

SSG4953P

SSG4940N 8.3A , 40V , RDS(ON) 22 m Dual-N Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION SOP-8 These miniature surface mount MOSFETs B utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications

 9.2. Size:145K  secos
ssg4942n.pdfpdf_icon

SSG4953P

SSG4942N Dual N-Channel Mode Power MOSFET 4.4 A, 40 V, RDS(ON) 75 m Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION SOP-8 These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to B provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications a

Другие IGBT... SSG4930N, SSG4932N, SSG4934N, SSG4935P, SSG4940N, SSG4940NC, SSG4942N, SSG4953, IRF1407, SSG4990N, SSG5509A, SSG6612N, SSG6680, SSG9435, SSG9435BDY, SSG9435P, SSG9475