SSG6612N - аналоги и даташиты транзистора

 

SSG6612N - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SSG6612N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для SSG6612N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSG6612N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:567K  secos
 ssg6612n.pdf pdf_icon

SSG6612N

SSG6612N 9.4 A, 30 V, RDS(ON) 22 m N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs SOP-8 utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications ar

 9.1. Size:415K  secos
 ssg6680.pdf pdf_icon

SSG6612N

SSG668011.5A, 30V,RDS(ON) 11m Elektronische Bauelemente N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FETRoHS Compliant ProductSOP-8Description0.190.250.400.90oThe SSG6680 provide the designer with the best combination of fast switching, 0.375 REF6.20ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. 5.800.25The SOP-8 is universally preferred for al

Другие MOSFET... SSG4935P , SSG4940N , SSG4940NC , SSG4942N , SSG4953 , SSG4953P , SSG4990N , SSG5509A , IRF2807 , SSG6680 , SSG9435 , SSG9435BDY , SSG9435P , SSG9475 , SSG9575 , SSK3018K , SSM0410 .

History: MTB12P06J3 | AP2763I-A | 2SK3215 | FK3F0301 | STB3N62K3 | 2SJ474-01S

 

 
Back to Top

 


 
.