SSG6612N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSG6612N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для SSG6612N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSG6612N даташит

 ..1. Size:567K  secos
 ssg6612n.pdf pdf_icon

SSG6612N

SSG6612N 9.4 A, 30 V, RDS(ON) 22 m N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs SOP-8 utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications ar

 9.1. Size:415K  secos
 ssg6680.pdf pdf_icon

SSG6612N

SSG6680 11.5A, 30V,RDS(ON) 11m Elektronische Bauelemente N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET RoHS Compliant Product SOP-8 Description 0.19 0.25 0.40 0.90 o The SSG6680 provide the designer with the best combination of fast switching, 0.375 REF 6.20 ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. 5.80 0.25 The SOP-8 is universally preferred for al

Другие IGBT... SSG4935P, SSG4940N, SSG4940NC, SSG4942N, SSG4953, SSG4953P, SSG4990N, SSG5509A, RFP50N06, SSG6680, SSG9435, SSG9435BDY, SSG9435P, SSG9475, SSG9575, SSK3018K, SSM0410