SSG9475. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SSG9475
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для SSG9475
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SSG9475 даташит
ssg9475.pdf
SSG9475 6.9A, 60V,RDS(ON) 40m Elektronische Bauelemente N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET RoHS Compliant Product SOP-8 Description 0.19 0.25 0.40 0.90 o The SSG9475 provide the designer with the best Combination of fast switching, 0.375 REF 6.20 ruggedized device design, Ultra low on-resistance and cost-effectiveness. 5.80 0.25 The SOP-8 is universally preferred f
ssg9435.pdf
SSG9435 P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET -5.3 A, -30 V, RDS(ON) 55 m Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION The SSG9435 provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The SOP-8 package is universally preferred for all
ssg9435bdy.pdf
SSG9435BDY -5.3 A, -30 V, RDS(ON) 36 m P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen free SOP-8 DESCRIPTION The SSG9435BDY provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, B low on-resistance and cost-effectiveness. The SOP-8 package is
ssg9435p.pdf
SSG9435P -6.5 A, -30 V, RDS(ON) 49 m P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION SOP-8 These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to B provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applicat
Другие IGBT... SSG4953P, SSG4990N, SSG5509A, SSG6612N, SSG6680, SSG9435, SSG9435BDY, SSG9435P, IRF520, SSG9575, SSK3018K, SSM0410, SSM452, SSM9971, SSN3541, SSP7150N, SSP7200N
History: FDU6N50
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUP060N055 | AUP056N10 | AUP056N08BGL | AUP052N085 | AUP045N12 | AUP039N10 | AUP034N10 | AUP034N06 | AUP033N08BG | AUP026N085 | AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10
Popular searches
ksa1381 replacement | m3056m mosfet | skd502t mosfet | tip 35 transistor | bu2508df | 2n2222a transistor equivalent | 2sc2509 | 2n1815




