Справочник MOSFET. SSRF4N60

 

SSRF4N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSRF4N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 66 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm
   Тип корпуса: ITO220
 

 Аналог (замена) для SSRF4N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSRF4N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:459K  secos
 ssrf4n60.pdf pdf_icon

SSRF4N60

SSRF4N60 4A , 600 V , RDS(ON) 2.4 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free DESCRIPTION ITO-220 The N-Channel MOSFET is used an advanced termination scheme to provide enhanced voltage-blocking capability without B Ndegrading performance over time. This

Другие MOSFET... SSPS7330N , SSPS7331P , SSPS7332N , SSPS7333P , SSPS7334N , SSQ5N50 , SSQ6N60 , SSRF30N20-400 , IRF540 , SSRF50P04-16 , SSRF60N10 , SSRF90N06 , SSRF90N06-10 , SST2604 , SST2605 , SSPS922NE , SSPS924NE .

 

 
Back to Top

 


 
.