SSRF4N60 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SSRF4N60  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 66 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm

Тип корпуса: ITO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SSRF4N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSRF4N60 даташит

 ..1. Size:459K  secos
 ssrf4n60.pdf pdf_icon

SSRF4N60

SSRF4N60 4A , 600 V , RDS(ON) 2.4 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free DESCRIPTION ITO-220 The N-Channel MOSFET is used an advanced termination scheme to provide enhanced voltage-blocking capability without B N degrading performance over time. This

Другие IGBT... SSPS7330N, SSPS7331P, SSPS7332N, SSPS7333P, SSPS7334N, SSQ5N50, SSQ6N60, SSRF30N20-400, IRF540N, SSRF50P04-16, SSRF60N10, SSRF90N06, SSRF90N06-10, SST2604, SST2605, SSPS922NE, SSPS924NE