Справочник MOSFET. SSD04N65

 

SSD04N65 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSD04N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 56 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.6 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для SSD04N65

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSD04N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:533K  secos
 ssd04n65.pdf pdf_icon

SSD04N65

SSD04N65 4A , 650V , RDS(ON) 2.6 N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen free TO-252(D-Pack)DESCRIPTION The SSD04N65 is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , which provide excellent RDS(on) and gate charge for most of the synchronous buck converter a

Другие MOSFET... STT3981 , STT3998N , STT4443 , STT6405 , STT6602 , STT6802 , SUM6K1N , SGM0410 , IRFB3607 , SSD20N10-130D , SSM9575 , SST3585 , 2N4003K , 2N60D , 2N60F , 2N60I , 2N60P .

History: FDC6320C | SIZ342DT

 

 
Back to Top

 


 
.