SSD04N65 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SSD04N65  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 56 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.6 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SSD04N65

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSD04N65 даташит

 ..1. Size:533K  secos
 ssd04n65.pdf pdf_icon

SSD04N65

SSD04N65 4A , 650V , RDS(ON) 2.6 N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen free TO-252(D-Pack) DESCRIPTION The SSD04N65 is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , which provide excellent RDS(on) and gate charge for most of the synchronous buck converter a

Другие IGBT... STT3981, STT3998N, STT4443, STT6405, STT6602, STT6802, SUM6K1N, SGM0410, P55NF06, SSD20N10-130D, SSM9575, SST3585, 2N4003K, 2N60D, 2N60F, 2N60I, 2N60P