Справочник MOSFET. SSD04N65

 

SSD04N65 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: SSD04N65

Маркировка: 4N65

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 56 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 650 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 18.8 ns

Выходная емкость (Cd): 56 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.6 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SSD04N65

 

 

SSD04N65 Datasheet (PDF)

1.1. ssd04n65.pdf Size:533K _secos

SSD04N65 SSD04N65

SSD04N65 4A , 650V , RDS(ON) 2.6Ω N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of “-C” specifies halogen free TO-252(D-Pack) DESCRIPTION The SSD04N65 is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , which provide excellent RDS(on) and gate charge for most of the synchronous buck converter a

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top