Справочник MOSFET. 2SK3018W

 

2SK3018W Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK3018W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 9 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm
   Тип корпуса: SOT323
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK3018W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:705K  wietron
2sk3018w.pdfpdf_icon

2SK3018W

2SK3018W3 DRAINN-Channel POWER MOSFETP b Lead(Pb)-Free3121GATEDescription: *GateSOT-323(SC-70) Protection Diode* Low on-resistance.2 SOURCE* Fast switching speed.* Low voltage drive (2.5V) makes this device ideal for portable equipment.* Easily designed drive circuits.* Easy to parallel.Features:* Simple Drive Requirement* Small Package OutlineMaxi

 ..2. Size:1094K  blue-rocket-elect
2sk3018w.pdfpdf_icon

2SK3018W

2SK3018W Rev.F Jul.-2019 DATA SHEET / Descriptions SOT-323 N MOS N-Channel MOSFET in a SOT-323 Plastic Package. / Features ,,, Low on-resistance, fast switching speed, low voltage drive, easily designed drive circuits, easy to parallel. Halo

 ..3. Size:1941K  slkor
2sk3018w.pdfpdf_icon

2SK3018W

2SK3018WN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorProduct Summary V 30VDS I 300mAD R ( at V =10V) 8.0ohmDS(ON) GS R ( at V =4.5V) 13.0ohmDS(ON) GS ESD Protected Up to 2.5KV (HBM)General Description Trench Power MV MOSFET technology Voltage controlled small signal switch Low input Capacitance Fast Switching Speed Low

 ..4. Size:387K  cn shikues
2sk3018w.pdfpdf_icon

2SK3018W

2SK3018WN-channel MOSFET FEATURES Low on-resistance Fast switching speed Low voltage drive makes this device ideal for portable equipmentLow voltage drive makes this device ideal for portable equipment Easily designed drive circuits Easy to parallel MOSFET MAXIMUM RATINGS (Ta = 25C unless otherwise noted)= 25C unless otherwise noted) MOSFET ELECTRICAL CHARACT

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: RU70190R | MMBF2201N | 2SK1848 | NTD4857N | HGW053N06SL | BLS70R180-I | 2SK2882

 

 
Back to Top

 


 
.