Справочник MOSFET. 8N60P

 

8N60P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 8N60P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 58 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 93 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для 8N60P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

8N60P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:748K  wietron
8n60p 8n60f.pdfpdf_icon

8N60P

8N60Surface Mount N-Channel Power MOSFETDRAIN CURRENTP b Lead(Pb)-Free8 AMPERESDRAIN SOURCE VOLTAGEDescription:600 VOLTAGEThe WEITRON 8N60 is a high voltage and high current powerMOSFET, designed to have better characteristics, such as fastswitching time, low gate charge, low on-state resistance and havea high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET isusually

 0.1. Size:144K  ixys
ixfr48n60p.pdfpdf_icon

8N60P

IXFR 48N60P VDSS = 600 VPolarHVTM HiPerFETID25 = 32 APower MOSFET RDS(on) 150 m ISOPLUS247TMtrr 200 ns(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS247 (IXFR)VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 VE153432VDGR TJ

 0.2. Size:84K  ixys
ixfn48n60p.pdfpdf_icon

8N60P

IXFN 48N60P VDSS = 600 VPolarHVTM HiPerFETID25 = 40 APower MOSFET RDS(on) 140 m N-Channel Enhancement Modetrr 200 nsAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 600 VminiBLOC, SOT-227 B (IXFN)VDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 600 VE153432SVGSS Cont

 0.3. Size:171K  ixys
ixtq18n60p ixtv18n60p.pdfpdf_icon

8N60P

IXTQ 18N60P VDSS = 600 VPolarHVTMIXTV 18N60P ID25 = 18 APower MOSFET IXTV 18N60PS RDS(on) 420 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-3P (IXTQ)VDSS TJ = 25C to 150C 600 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 600 VVGS Continuous 30 VGVGSM Tranisent 40 VD (TAB)DSID25 TC = 25

Другие MOSFET... 2SK3018W , 2SK3019T , 2SK3541M , 4N60D , 4N60F , 4N60I , 4N60P , 8N60F , STF13NM60N , MGSF1P02 , WT4410M , WTC1333 , WTC2301 , WTC2302 , WTC2305 , WTC2305DS , WTC2306 .

History: CEF15P15 | KP8N60D | SM7360EKQG

 

 
Back to Top

 


 
.