Справочник MOSFET. WTC1333

 

WTC1333 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WTC1333
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.55 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для WTC1333

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WTC1333 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2923K  wietron
 wtc1333.pdf pdf_icon

WTC1333

WTC1333Surface Mount P-ChannelDRAIN CURRENT3 DRAINEnhancement Mode MOSFET-550m AMPERESDRAIN SOURCE VOLTAGE-20 VOLTAGE1GATEFeatures:2SOURCE*Super High Dense Cell Design For Low RDS(ON) 3 RDS(ON)

Другие MOSFET... 4N60D , 4N60F , 4N60I , 4N60P , 8N60F , 8N60P , MGSF1P02 , WT4410M , STP80NF70 , WTC2301 , WTC2302 , WTC2305 , WTC2305DS , WTC2306 , WTC2312 , WTC4501 , WTC9435 .

History: NCE4614C | IRF7749L1TRPBF | SMOS48N50 | SFG100N10PF | JFPC12N65C | NCEP035N60AG | MSU9N90P

 

 
Back to Top

 


 
.