WTC1333 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: WTC1333
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.55 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для WTC1333
WTC1333 Datasheet (PDF)
wtc1333.pdf
WTC1333Surface Mount P-ChannelDRAIN CURRENT3 DRAINEnhancement Mode MOSFET-550m AMPERESDRAIN SOURCE VOLTAGE-20 VOLTAGE1GATEFeatures:2SOURCE*Super High Dense Cell Design For Low RDS(ON) 3 RDS(ON)
Другие MOSFET... 4N60D , 4N60F , 4N60I , 4N60P , 8N60F , 8N60P , MGSF1P02 , WT4410M , 10N65 , WTC2301 , WTC2302 , WTC2305 , WTC2305DS , WTC2306 , WTC2312 , WTC4501 , WTC9435 .
History: IRF7103Q | IRFL110TR | SST213 | S-LBSS84DW1T1G | SI3401A | IRF7341I | AP01N60J
History: IRF7103Q | IRFL110TR | SST213 | S-LBSS84DW1T1G | SI3401A | IRF7341I | AP01N60J
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G | AGM612S | AGM612MNA | AGM612MN | AGM612MBQ | AGM612MBP | AGM612D | AGM612AP
Popular searches
2n5551 transistor | a1015 transistor | c945 | ac128 transistor | 2n3055 transistor | 2n3904 datasheet | irf3710 | tip3055


