WTM2310A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WTM2310A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 42 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.115 Ohm

Тип корпуса: SOT89

Аналог (замена) для WTM2310A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WTM2310A даташит

 ..1. Size:758K  wietron
 wtm2310a.pdf pdf_icon

WTM2310A

WTM2310A N-Channel Enhancement 3 DRAIN Mode Power MOSFET DRAIN CURRENT 5.0 AMPERES P b Lead(Pb)-Free DRAIN SOUCE VOLTAGE 1 60 VOLTAGE GATE Features 2 SOURCE * Simple Drive Requirement. * Super High Density Cell Design for Extremely Low RDS(ON). 1 2 3 1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE SOT-89 Maximum Ratings (TA=25 C Unless Otherwise Specified) Rating Symbol Value Unit VDS V D

 9.1. Size:762K  wpmtek
 wtm2302.pdf pdf_icon

WTM2310A

WTM2302 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The WTM2302 uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and operation with gate DS(ON) voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a battery protection or in other switching application. Features V DS = 20V, lD = 2.6A R

 9.2. Size:730K  wpmtek
 wtm2300.pdf pdf_icon

WTM2310A

WTM2300 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The WTM2300 uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and operation with gate DS(ON) voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a battery protection or in other switching application. Features V DS = 20V, lD = 6A R

 9.3. Size:782K  wpmtek
 wtm2306.pdf pdf_icon

WTM2310A

WTM2306 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The WTM2306 uses advanced trench technology to provide excellent R , This device is suitable for use as a DS(ON) battery protection or in other switching application. Features V DS = 30V, lD = 3.6A R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... WTK6679, WTK6680, WTK9410, WTK9431, WTK9435, WTK9971, WTL2602, WTL2622, K2611, WTN9435, WTN9575, WTN9973, WTU1333, WTX1012, WTX7002, CEA6200, CEA6426