CEB02N6A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEB02N6A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8.5 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для CEB02N6A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEB02N6A даташит

 ..1. Size:354K  cet
 cep02n6a ceb02n6a cef02n6a.pdf pdf_icon

CEB02N6A

CEP02N6A/CEB02N6A CEF02N6A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP02N6A 600V 8.5 1.4A 10V CEB02N6A 600V 8.5 1.4A 10V CEF02N6A 600V 8.5 1.4A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. G CEB SERIES CEP SERIES CEF SERIES S TO-263(

 7.1. Size:342K  1
 cef02n65d cep02n65d ceb02n65d.pdf pdf_icon

CEB02N6A

CEP02N65D/CEB02N65D CEF02N65D PRELIMINARY N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP02N65D 650V 6.9 2A 10V CEB02N65D 650V 6.9 2A 10V CEF02N65D 650V 6.9 2A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. G S CEB SERIES CEP SERIES CEF S

 7.2. Size:391K  cet
 cep02n65a ceb02n65a cef02n65a.pdf pdf_icon

CEB02N6A

CEP02N65A/CEB02N65A CEF02N65A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP02N65A 650V 10.5 1.3A 10V CEB02N65A 650V 10.5 1.3A 10V CEF02N65A 650V 10.5 1.3A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. G CEB SERIES CEP SERIES C

 7.3. Size:393K  cet
 cep02n6g ceb02n6g cef02n6g.pdf pdf_icon

CEB02N6A

CEP02N6G/CEB02N6G CEF02N6G N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP02N6G 600V 5 2.2A 10V CEB02N6G 600V 5 2.2A 10V CEF02N6G 600V 5 2.2A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. G S CEB SERIES CEP SERIES CEF SERIES TO-263(DD-PAK

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... WTX1012, WTX7002, CEA6200, CEA6426, CEB01N65, CEB01N6G, CEB02N65A, CEB02N65G, IRF840, CEB02N6G, CEB02N7G, CEB02N9, CEB03N8, CEB04N6, CEB04N65, CEB04N7G, CEB05N65