Справочник MOSFET. CEB02N9

 

CEB02N9 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEB02N9
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.8 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для CEB02N9

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEB02N9 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:391K  cet
 cep02n9 ceb02n9 cef02n9.pdf pdf_icon

CEB02N9

CEP02N9/CEB02N9CEF02N9PRELIMINARYN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP02N9 900V 6.8 2.6A 10VCEB02N9 900V 6.8 2.6A 10VCEF02N9 900V 6.8 2.6A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIES

 8.1. Size:342K  1
 cef02n65d cep02n65d ceb02n65d.pdf pdf_icon

CEB02N9

CEP02N65D/CEB02N65D CEF02N65DPRELIMINARYN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP02N65D 650V 6.9 2A 10VCEB02N65D 650V 6.9 2A 10VCEF02N65D 650V 6.9 2A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF S

 8.2. Size:391K  cet
 cep02n65a ceb02n65a cef02n65a.pdf pdf_icon

CEB02N9

CEP02N65A/CEB02N65ACEF02N65AN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP02N65A 650V 10.5 1.3A 10VCEB02N65A 650V 10.5 1.3A 10VCEF02N65A 650V 10.5 1.3A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GCEB SERIESCEP SERIES C

 8.3. Size:393K  cet
 cep02n6g ceb02n6g cef02n6g.pdf pdf_icon

CEB02N9

CEP02N6G/CEB02N6GCEF02N6GN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP02N6G 600V 5 2.2A 10VCEB02N6G 600V 5 2.2A 10VCEF02N6G 600V 5 2.2A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIESTO-263(DD-PAK

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... CEA6426 , CEB01N65 , CEB01N6G , CEB02N65A , CEB02N65G , CEB02N6A , CEB02N6G , CEB02N7G , IRF540N , CEB03N8 , CEB04N6 , CEB04N65 , CEB04N7G , CEB05N65 , CEB06N7 , CEB07N65 , CEB07N65A .

History: HGD040N06S | CED12N10L | CEDM7001VL | SI8810 | STD10PF06-1 | IRFPE30PBF | PM557BA

 

 
Back to Top

 


 
.