Справочник MOSFET. CEB03N8

 

CEB03N8 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEB03N8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.8 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для CEB03N8

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEB03N8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:395K  cet
 cep03n8 ceb03n8 cef03n8.pdf pdf_icon

CEB03N8

CEP03N8/CEB03N8CEF03N8N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP03N8 800V 4.8 3A 10VCEB03N8 800V 4.8 3A 10VCEF03N8 800V 4.8 3A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIESTO-263(DD-PAK)

Другие MOSFET... CEB01N65 , CEB01N6G , CEB02N65A , CEB02N65G , CEB02N6A , CEB02N6G , CEB02N7G , CEB02N9 , 50N06 , CEB04N6 , CEB04N65 , CEB04N7G , CEB05N65 , CEB06N7 , CEB07N65 , CEB07N65A , CEB07N7 .

History: SSG4801 | IXTQ120N15P | WMB26DN06TS | SSM6N57NU

 

 
Back to Top

 


 
.