CEB03N8. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEB03N8

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.8 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для CEB03N8

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEB03N8 даташит

 ..1. Size:395K  cet
 cep03n8 ceb03n8 cef03n8.pdf pdf_icon

CEB03N8

CEP03N8/CEB03N8 CEF03N8 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP03N8 800V 4.8 3A 10V CEB03N8 800V 4.8 3A 10V CEF03N8 800V 4.8 3A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. G S CEB SERIES CEP SERIES CEF SERIES TO-263(DD-PAK)

Другие IGBT... CEB01N65, CEB01N6G, CEB02N65A, CEB02N65G, CEB02N6A, CEB02N6G, CEB02N7G, CEB02N9, 50N06, CEB04N6, CEB04N65, CEB04N7G, CEB05N65, CEB06N7, CEB07N65, CEB07N65A, CEB07N7