Справочник MOSFET. CEB04N65

 

CEB04N65 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CEB04N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 12 nC
   trⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.8 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для CEB04N65

 

 

CEB04N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:358K  cet
 cep04n65 ceb04n65 cef04n65.pdf

CEB04N65 CEB04N65

CEP04N65/CEB04N65CEF04N65PRELIMINARYN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP04N65 650V 2.8 4A 10VCEB04N65 650V 2.8 4A 10VCEF04N65 650V 2.8 4A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF SER

 7.1. Size:357K  cet
 cep04n6 ceb04n6 cef04n6.pdf

CEB04N65 CEB04N65

CEP04N6/CEB04N6CEF04N6PRELIMINARYN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP04N6 600V 2.4 4.2A 10VCEB04N6 600V 2.4 4.2A 10VCEF04N6 600V 2.4 4.2A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF SER

 8.1. Size:440K  cet
 cep04n7g ceb04n7g cef04n7g.pdf

CEB04N65 CEB04N65

CEP04N7G/CEB04N7G CEF04N7GN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP04N7G 700V 3.3 4A 10VCEB04N7G 700V 3.3 4A 10VCEF04N7G 700V 3.3 4A d 10VSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).DHigh power and current handing capability.Lead free product is acquired.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIESTO-263(DD-PA

Другие MOSFET... CEB02N65A , CEB02N65G , CEB02N6A , CEB02N6G , CEB02N7G , CEB02N9 , CEB03N8 , CEB04N6 , IRF540N , CEB04N7G , CEB05N65 , CEB06N7 , CEB07N65 , CEB07N65A , CEB07N7 , CEF02N65A , CEF02N65G .

 

 
Back to Top