CEF02N6G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEF02N6G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для CEF02N6G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEF02N6G даташит

 ..1. Size:393K  cet
 cep02n6g ceb02n6g cef02n6g.pdf pdf_icon

CEF02N6G

CEP02N6G/CEB02N6G CEF02N6G N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP02N6G 600V 5 2.2A 10V CEB02N6G 600V 5 2.2A 10V CEF02N6G 600V 5 2.2A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. G S CEB SERIES CEP SERIES CEF SERIES TO-263(DD-PAK

 7.1. Size:342K  1
 cef02n65d cep02n65d ceb02n65d.pdf pdf_icon

CEF02N6G

CEP02N65D/CEB02N65D CEF02N65D PRELIMINARY N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP02N65D 650V 6.9 2A 10V CEB02N65D 650V 6.9 2A 10V CEF02N65D 650V 6.9 2A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. G S CEB SERIES CEP SERIES CEF S

 7.2. Size:391K  cet
 cep02n65a ceb02n65a cef02n65a.pdf pdf_icon

CEF02N6G

CEP02N65A/CEB02N65A CEF02N65A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP02N65A 650V 10.5 1.3A 10V CEB02N65A 650V 10.5 1.3A 10V CEF02N65A 650V 10.5 1.3A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. G CEB SERIES CEP SERIES C

 7.3. Size:393K  cet
 cep02n65g ceb02n65g cef02n65g.pdf pdf_icon

CEF02N6G

CEP02N65G/CEB02N65G CEF02N65G N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP02N65G 650V 5.5 2A 10V CEB02N65G 650V 5.5 2A 10V CEF02N65G 650V 5.5 2A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. G S CEB SERIES CEP SERIES CEF SERIES TO-263(

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CEB05N65, CEB06N7, CEB07N65, CEB07N65A, CEB07N7, CEF02N65A, CEF02N65G, CEF02N6A, 10N60, CEF02N7G, CEF02N9, CEF03N8, CEF04N6, CEF04N65, CEF04N7G, CEF05N65, CEF06N7