Справочник MOSFET. CEF03N8

 

CEF03N8 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEF03N8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 47 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.8 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для CEF03N8

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEF03N8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:395K  cet
 cep03n8 ceb03n8 cef03n8.pdf pdf_icon

CEF03N8

CEP03N8/CEB03N8CEF03N8N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP03N8 800V 4.8 3A 10VCEB03N8 800V 4.8 3A 10VCEF03N8 800V 4.8 3A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIESTO-263(DD-PAK)

Другие MOSFET... CEB07N65A , CEB07N7 , CEF02N65A , CEF02N65G , CEF02N6A , CEF02N6G , CEF02N7G , CEF02N9 , IRF9540 , CEF04N6 , CEF04N65 , CEF04N7G , CEF05N65 , CEF06N7 , CEF07N65 , CEF07N65A , CEF07N7 .

History: ELM16403EA

 

 
Back to Top

 


 
.