CEF03N8 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CEF03N8
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 47 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.8 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для CEF03N8
CEF03N8 Datasheet (PDF)
cep03n8 ceb03n8 cef03n8.pdf

CEP03N8/CEB03N8CEF03N8N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP03N8 800V 4.8 3A 10VCEB03N8 800V 4.8 3A 10VCEF03N8 800V 4.8 3A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIESTO-263(DD-PAK)
Другие MOSFET... CEB07N65A , CEB07N7 , CEF02N65A , CEF02N65G , CEF02N6A , CEF02N6G , CEF02N7G , CEF02N9 , IRFP250N , CEF04N6 , CEF04N65 , CEF04N7G , CEF05N65 , CEF06N7 , CEF07N65 , CEF07N65A , CEF07N7 .
History: AP09N50I | SLP13N50A | SSF70R300S2 | STW30NM60D | TPCL4203 | IRFU13N20DPBF | BUZ102
History: AP09N50I | SLP13N50A | SSF70R300S2 | STW30NM60D | TPCL4203 | IRFU13N20DPBF | BUZ102



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
50n06 | mje350 | 2n3866 | irf 3205 | 2n5088 equivalent | d882 transistor | 2n3771 | s9018