CEB15A03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEB15A03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 190 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1570 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для CEB15A03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEB15A03 даташит

 ..1. Size:395K  cet
 cep15a03 ceb15a03.pdf pdf_icon

CEB15A03

CEP15A03/CEB15A03 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 30V, 190A, RDS(ON) = 4.5m @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-220 & TO-263 package. G CEB SERIES CEP SERIES TO-263(DD-PAK) S TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless other

 9.1. Size:349K  cet
 cef15p15 cep15p15 ceb15p15.pdf pdf_icon

CEB15A03

CEP15P15/CEB15P15 CEF15P15 PRELIMINARY P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP15P15 -150V 0.24 -15A -10V CEB15P15 -150V 0.24 -15A -10V CEF15P15 -150V 0.24 -15A d -10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. G S CEB SERIES CEP

Другие IGBT... CEP13N5A, CEB08N8, CEF08N8, CEP08N8, CEB20A03, CEP20A03, CEB14G04, CEP14G04, BS170, CEP15A03, CEB14A04, CEP14A04, CEB140N10, CEP140N10, CEB16N10L, CEP16N10L, CEB16N10