Справочник MOSFET. CEB15A03

 

CEB15A03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEB15A03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 190 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1570 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для CEB15A03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEB15A03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:395K  cet
 cep15a03 ceb15a03.pdf pdf_icon

CEB15A03

CEP15A03/CEB15A03N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES30V, 190A, RDS(ON) = 4.5m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless other

 9.1. Size:349K  cet
 cef15p15 cep15p15 ceb15p15.pdf pdf_icon

CEB15A03

CEP15P15/CEB15P15CEF15P15PRELIMINARYP-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP15P15 -150V 0.24 -15A -10VCEB15P15 -150V 0.24 -15A -10VCEF15P15 -150V 0.24 -15A d -10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GSCEB SERIESCEP

Другие MOSFET... CEP13N5A , CEB08N8 , CEF08N8 , CEP08N8 , CEB20A03 , CEP20A03 , CEB14G04 , CEP14G04 , 18N50 , CEP15A03 , CEB14A04 , CEP14A04 , CEB140N10 , CEP140N10 , CEB16N10L , CEP16N10L , CEB16N10 .

 

 
Back to Top

 


 
.