CEB15A03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: CEB15A03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 190 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1570 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
Тип корпуса: TO263
CEB15A03 Datasheet (PDF)
cep15a03 ceb15a03.pdf

CEP15A03/CEB15A03N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES30V, 190A, RDS(ON) = 4.5m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless other
cef15p15 cep15p15 ceb15p15.pdf

CEP15P15/CEB15P15CEF15P15PRELIMINARYP-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP15P15 -150V 0.24 -15A -10VCEB15P15 -150V 0.24 -15A -10VCEF15P15 -150V 0.24 -15A d -10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GSCEB SERIESCEP
Другие MOSFET... CEP13N5A , CEB08N8 , CEF08N8 , CEP08N8 , CEB20A03 , CEP20A03 , CEB14G04 , CEP14G04 , 18N50 , CEP15A03 , CEB14A04 , CEP14A04 , CEB140N10 , CEP140N10 , CEB16N10L , CEP16N10L , CEB16N10 .
History: 2SK2649-01R
History: 2SK2649-01R



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0606AE | JMSL0606AC | JMSL0605PG | JMSL0605AGDQ | JMSL0605AGD | JMSL040SPG | JMSL040SMTL | JMSL040SAGQ | JMSL040SAG | JMSL0406PU | JMSL0406PK | JMSL0406PGD | JMSL0406PG | JMSL0406AUQ | JMSL0406AU | JMSL0406AP
Popular searches
2sk1058 | ss8550 | mje15033 | 2sc945 datasheet | a92 transistor | rfp50n06 | bd140 datasheet | tip2955