CEB16N10L - аналоги и даташиты транзистора

 

CEB16N10L - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CEB16N10L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.115 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для CEB16N10L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEB16N10L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:645K  cet
 cep16n10l ceb16n10l.pdf pdf_icon

CEB16N10L

CEP16N10L/CEB16N10LPRELIMINARYN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES100V, 15.2A, RDS(ON) = 115m @VGS = 10V. RDS(ON) = 125m @VGS = 5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MA

 6.1. Size:534K  cet
 cep16n10 ceb16n10.pdf pdf_icon

CEB16N10L

CEP16N10/CEB16N10N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES100V, 15.2A, RDS(ON) = 120m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise noted

Другие MOSFET... CEB14G04 , CEP14G04 , CEB15A03 , CEP15A03 , CEB14A04 , CEP14A04 , CEB140N10 , CEP140N10 , 10N65 , CEP16N10L , CEB16N10 , CEP16N10 , CEB13N10L , CEP13N10L , CEB13N10 , CEP13N10 , CEB14N5 .

History: TSM1N80SCT | IRF6712S | IRF6665 | MTE05N10FP | TSP10N65M | HFD5N70U | TPCA8107-H

 

 
Back to Top

 


 
.