CEB14N5 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: CEB14N5
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 178 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 14 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 50 nC
Время нарастания (tr): 62 ns
Выходная емкость (Cd): 220 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.38 Ohm
Тип корпуса: TO263
CEB14N5 Datasheet (PDF)
cep14n5 ceb14n5 cef14n5.pdf
CEP14N5/CEB14N5CEF14N5PRELIMINARYN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP14N5 500V 0.38 14A 10VCEB14N5 500V 0.38 14A 10VCEF14N5 500V 0.38 14A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF SER
cep14a04 ceb14a04.pdf
CEP14A04/CEB14A04N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES40V, 180A, RDS(ON) = 5m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead-free plating ; RoHS compliant.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise note
cep14g04 ceb14g04.pdf
CEP14G04/CEB14G04N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES40V, 140A, RDS(ON) = 3.6m @VGS = 10V. RDS(ON) = 6.5m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK)TO-220SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
cep140n10 ceb140n10.pdf
CEP140N10/CEB140N10N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES100V, 137A, RDS(ON) = 7.5m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead-free plating ; RoHS compliant.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise
cef14p20 cep14p20 ceb14p20.pdf
CEP14P20/CEB14P20CEF14P20PRELIMINARYP-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP14P20 -200V 0.36 -13.5A -10VCEB14P20 -200V 0.36 -13.5A -10VCEF14P20 -200V 0.36 -13.5A d -10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GSCEB SERIE
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
