CEB14N5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEB14N5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 178 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 62 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для CEB14N5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEB14N5 даташит

 ..1. Size:435K  cet
 cep14n5 ceb14n5 cef14n5.pdf pdf_icon

CEB14N5

CEP14N5/CEB14N5 CEF14N5 PRELIMINARY N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP14N5 500V 0.38 14A 10V CEB14N5 500V 0.38 14A 10V CEF14N5 500V 0.38 14A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. G S CEB SERIES CEP SERIES CEF SER

 9.1. Size:397K  cet
 cep14a04 ceb14a04.pdf pdf_icon

CEB14N5

CEP14A04/CEB14A04 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 40V, 180A, RDS(ON) = 5m @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead-free plating ; RoHS compliant. TO-220 & TO-263 package. G CEB SERIES CEP SERIES TO-263(DD-PAK) S TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise note

 9.2. Size:421K  cet
 cep14g04 ceb14g04.pdf pdf_icon

CEB14N5

CEP14G04/CEB14G04 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 40V, 140A, RDS(ON) = 3.6m @VGS = 10V. RDS(ON) = 6.5m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-220 & TO-263 package. G CEB SERIES CEP SERIES TO-263(DD-PAK) TO-220 S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

 9.3. Size:383K  cet
 cep140n10 ceb140n10.pdf pdf_icon

CEB14N5

CEP140N10/CEB140N10 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V, 137A, RDS(ON) = 7.5m @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead-free plating ; RoHS compliant. TO-220 & TO-263 package. G CEB SERIES CEP SERIES TO-263(DD-PAK) S TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CEB16N10L, CEP16N10L, CEB16N10, CEP16N10, CEB13N10L, CEP13N10L, CEB13N10, CEP13N10, STF13NM60N, CEF14N5, CEP14N5, CEB13N5, CEP13N5, CEB12N5, CEF12N5, CEF13N5, CEP12N5