CEF14N5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEF14N5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 62 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для CEF14N5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEF14N5 даташит

 ..1. Size:435K  cet
 cep14n5 ceb14n5 cef14n5.pdf pdf_icon

CEF14N5

CEP14N5/CEB14N5 CEF14N5 PRELIMINARY N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP14N5 500V 0.38 14A 10V CEB14N5 500V 0.38 14A 10V CEF14N5 500V 0.38 14A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. G S CEB SERIES CEP SERIES CEF SER

 9.1. Size:385K  cet
 cef14p20 cep14p20 ceb14p20.pdf pdf_icon

CEF14N5

CEP14P20/CEB14P20 CEF14P20 PRELIMINARY P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP14P20 -200V 0.36 -13.5A -10V CEB14P20 -200V 0.36 -13.5A -10V CEF14P20 -200V 0.36 -13.5A d -10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. G S CEB SERIE

Другие IGBT... CEP16N10L, CEB16N10, CEP16N10, CEB13N10L, CEP13N10L, CEB13N10, CEP13N10, CEB14N5, IRFZ24N, CEP14N5, CEB13N5, CEP13N5, CEB12N5, CEF12N5, CEF13N5, CEP12N5, CEB12N6