CEF12N5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: CEF12N5
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 25.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 205 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.54 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для CEF12N5
CEF12N5 Datasheet (PDF)
cep12n5 ceb12n5 cef12n5.pdf

CEP12N5/CEB12N5 CEF12N5PRELIMINARYN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP12N5 500V 0.54 12A 10VCEB12N5 500V 0.54 12A 10VCEF12N5 500V 0.54 12A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIES
cep12n6 ceb12n6 cef12n6.pdf

CEP12N6/CEB12N6 CEF12N6PRELIMINARYN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP12N6 600V 0.65 12A 10VCEB12N6 600V 0.65 12A 10VCEF12N6 600V 0.65 12A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIES
cep12n65 ceb12n65 cef12n65.pdf

CEP12N65/CEB12N65CEF12N65PRELIMINARYN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP12N65 650V 0.73 12A 10VCEB12N65 650V 0.73 12A 10VCEF12N65 650V 0.73 12A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GSCEB SERIESCEP SERIES C
Другие MOSFET... CEB13N10 , CEP13N10 , CEB14N5 , CEF14N5 , CEP14N5 , CEB13N5 , CEP13N5 , CEB12N5 , RU6888R , CEF13N5 , CEP12N5 , CEB12N6 , CEF12N6 , CEP12N6 , CEP10N4 , CEB10N4 , CEI10N4 .
History: OSG60R031HT3ZF | RJK5032DPH-E0 | FMP20N50E | HY1803C2 | ME4972-G | IXTH44P15T | P4506BD
History: OSG60R031HT3ZF | RJK5032DPH-E0 | FMP20N50E | HY1803C2 | ME4972-G | IXTH44P15T | P4506BD



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
irfb438 | mj21193g | irf3710 pinout | irf9530 datasheet | mj21194 | oc71 transistor | 2n3440 | bc550c