Справочник MOSFET. CEI10N4

 

CEI10N4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEI10N4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm
   Тип корпуса: TO262
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CEI10N4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:109K  cet
 cep10n4 ceb10n4 cei10n4 cef10n4.pdf pdf_icon

CEI10N4

CEP10N4/CEB10N4CEI10N4/CEF10N4N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP10N4 450V 0.7 10A 10VCEB10N4 450V 0.7 10A 10VCEI10N4 450V 0.7 10A 10VCEF10N4 450V 0.7 10A e 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.TO-220 & TO-263 & TO

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: PZC010HK | WSF09N20G | SM2617PSC | HYG064N08NA1B | FTK123 | IXTQ23N60Q | IXFP18N65X2

 

 
Back to Top

 


 
.