CEI10N4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEI10N4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 450 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm

Тип корпуса: TO262

Аналог (замена) для CEI10N4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEI10N4 даташит

 ..1. Size:109K  cet
 cep10n4 ceb10n4 cei10n4 cef10n4.pdf pdf_icon

CEI10N4

CEP10N4/CEB10N4 CEI10N4/CEF10N4 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP10N4 450V 0.7 10A 10V CEB10N4 450V 0.7 10A 10V CEI10N4 450V 0.7 10A 10V CEF10N4 450V 0.7 10A e 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. TO-220 & TO-263 & TO

Другие IGBT... CEF12N5, CEF13N5, CEP12N5, CEB12N6, CEF12N6, CEP12N6, CEP10N4, CEB10N4, IRLB3034, CEF10N4, CEB10N6, CEF10N6, CEP10N6, CEB09N7G, CEF09N7G, CEP09N7G, CEB08N6A