Справочник MOSFET. CEI10N4

 

CEI10N4 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CEI10N4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 48 nC
   trⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm
   Тип корпуса: TO262

 Аналог (замена) для CEI10N4

 

 

CEI10N4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:109K  cet
 cep10n4 ceb10n4 cei10n4 cef10n4.pdf

CEI10N4 CEI10N4

CEP10N4/CEB10N4CEI10N4/CEF10N4N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP10N4 450V 0.7 10A 10VCEB10N4 450V 0.7 10A 10VCEI10N4 450V 0.7 10A 10VCEF10N4 450V 0.7 10A e 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.TO-220 & TO-263 & TO

Другие MOSFET... CEF12N5 , CEF13N5 , CEP12N5 , CEB12N6 , CEF12N6 , CEP12N6 , CEP10N4 , CEB10N4 , 2N7000 , CEF10N4 , CEB10N6 , CEF10N6 , CEP10N6 , CEB09N7G , CEF09N7G , CEP09N7G , CEB08N6A .

 

 
Back to Top