CEB08N6A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEB08N6A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.25 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для CEB08N6A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEB08N6A даташит

 ..1. Size:375K  cet
 cep08n6a ceb08n6a cef08n6a.pdf pdf_icon

CEB08N6A

CEP08N6A/CEB08N6A CEF08N6A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP08N6A 600V 1.25 7.5A 10V CEB08N6A 600V 1.25 7.5A 10V CEF08N6A 600V 1.25 7.5A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. G CEB SERIES CEP SERIES CE

 8.1. Size:434K  cet
 cep08n8 ceb08n8 cef08n8.pdf pdf_icon

CEB08N6A

CEP08N8/CEB08N8 CEF08N8 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP08N8 800V 1.55 8A 10V CEB08N8 800V 1.55 8A 10V CEF08N8 800V 1.55 8A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. G S CEB SERIES CEP SERIES CEF SERIES

Другие IGBT... CEI10N4, CEF10N4, CEB10N6, CEF10N6, CEP10N6, CEB09N7G, CEF09N7G, CEP09N7G, AOD4184A, CEF08N6A, CEP08N6A, CEF1186, CEB1186, CEP1186, CEB1195, CEF1195, CEP1195