Справочник MOSFET. CEB08N6A

 

CEB08N6A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEB08N6A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.25 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для CEB08N6A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEB08N6A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:375K  cet
 cep08n6a ceb08n6a cef08n6a.pdf pdf_icon

CEB08N6A

CEP08N6A/CEB08N6ACEF08N6AN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP08N6A 600V 1.25 7.5A 10VCEB08N6A 600V 1.25 7.5A 10VCEF08N6A 600V 1.25 7.5A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GCEB SERIESCEP SERIES CE

 8.1. Size:434K  cet
 cep08n8 ceb08n8 cef08n8.pdf pdf_icon

CEB08N6A

CEP08N8/CEB08N8CEF08N8N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP08N8 800V 1.55 8A 10VCEB08N8 800V 1.55 8A 10VCEF08N8 800V 1.55 8A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIES

Другие MOSFET... CEI10N4 , CEF10N4 , CEB10N6 , CEF10N6 , CEP10N6 , CEB09N7G , CEF09N7G , CEP09N7G , HY1906P , CEF08N6A , CEP08N6A , CEF1186 , CEB1186 , CEP1186 , CEB1195 , CEF1195 , CEP1195 .

History: KI4532ADY | CS1N60B3R | 2SK3726-01MR

 

 
Back to Top

 


 
.