CEF1186. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEF1186

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 152 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.3 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для CEF1186

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEF1186 даташит

 ..1. Size:433K  cet
 cep1186 ceb1186 cef1186.pdf pdf_icon

CEF1186

CEP1186/CEB1186 CEF1186 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP1186 800V 2.3 6A 10V CEB1186 800V 2.3 6A 10V CEF1186 800V 2.3 6A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. G S CEB SERIES CEP SERIES CEF SERIES TO-263(DD-PAK)

 9.1. Size:432K  cet
 cep1195 ceb1195 cef1195.pdf pdf_icon

CEF1186

CEP1195/CEB1195 CEF1195 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP1195 900V 2.75 5A 10V CEB1195 900V 2.75 5A 10V CEF1195 900V 2.75 5A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. G S CEB SERIES CEP SERIES CEF SERIES TO-263(DD-PAK)

Другие IGBT... CEF10N6, CEP10N6, CEB09N7G, CEF09N7G, CEP09N7G, CEB08N6A, CEF08N6A, CEP08N6A, IRFP064N, CEB1186, CEP1186, CEB1195, CEF1195, CEP1195, CEB21A2, CEB3060, CEB30N15L