Справочник MOSFET. CEF1186

 

CEF1186 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEF1186
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 152 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.3 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для CEF1186

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEF1186 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:433K  cet
 cep1186 ceb1186 cef1186.pdf pdf_icon

CEF1186

CEP1186/CEB1186CEF1186N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP1186 800V 2.3 6A 10VCEB1186 800V 2.3 6A 10VCEF1186 800V 2.3 6A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIESTO-263(DD-PAK)

 9.1. Size:432K  cet
 cep1195 ceb1195 cef1195.pdf pdf_icon

CEF1186

CEP1195/CEB1195 CEF1195N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP1195 900V 2.75 5A 10VCEB1195 900V 2.75 5A 10VCEF1195 900V 2.75 5A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIESTO-263(DD-PAK)

Другие MOSFET... CEF10N6 , CEP10N6 , CEB09N7G , CEF09N7G , CEP09N7G , CEB08N6A , CEF08N6A , CEP08N6A , 5N50 , CEB1186 , CEP1186 , CEB1195 , CEF1195 , CEP1195 , CEB21A2 , CEB3060 , CEB30N15L .

History: PP1515AF | FIR210N06G | CEB3060 | H7N0608LD | TTP85N08AA | 2SK1590C | OSG65R069HF

 

 
Back to Top

 


 
.