Справочник MOSFET. CEP3120

 

CEP3120 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEP3120
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 215 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для CEP3120

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEP3120 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:429K  cet
 cep3120 ceb3120.pdf pdf_icon

CEP3120

CEP3120/CEB3120N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES30V, 40A,RDS(ON) = 15m @VGS = 10V. RDS(ON) = 22m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).DHigh power and current handing capability.Lead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESSTO-263(DD-PAK)TO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 2

 9.1. Size:446K  cet
 cep3100.pdf pdf_icon

CEP3120

CEP3100N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES30V, 47A,RDS(ON) = 12m @VGS = 10V. RDS(ON) = 21m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).DHigh power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.TO-220 package.GCEP SERIESSTO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise noted

Другие MOSFET... CEB6086L , CEB60N06G , CEB60N10 , CEB6186 , CEP21A2 , CEP3060 , CEP30N15L , CEP3100 , 7N65 , CEP3205 , CEP4060A , CEP4060AL , CEP45N10 , CEP50N10 , CEP540L , CEP540N , CEP6036 .

History: OSG60R900AF | LSD65R180GT | P1703BDG | AON6502 | PHP79NQ08LT | ME70N10T-G | TSM3462CX6

 

 
Back to Top

 


 
.