Справочник MOSFET. CEP540N

 

CEP540N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEP540N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 196 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.053 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для CEP540N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEP540N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:407K  cet
 cep540n ceb540n cef540n.pdf pdf_icon

CEP540N

CEP540N/CEB540N CEF540NN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES100V, 36A, RDS(ON) = 53m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired. DTO-220 & TO-263 package.GCEB SERIES CEF SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) TO-220F STO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C

 8.1. Size:681K  cet
 cep540l ceb540l cef540l.pdf pdf_icon

CEP540N

CEP540L/CEB540L CEF540LN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES100V, 36A, RDS(ON) = 50m @VGS = 10V. RDS(ON) = 53m @VGS = 5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIES CEF SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) TO-220F STO-220ABS

Другие MOSFET... CEP3100 , CEP3120 , CEP3205 , CEP4060A , CEP4060AL , CEP45N10 , CEP50N10 , CEP540L , IRF4905 , CEP6036 , CEP6042 , CEP6056 , CEP6060L , CEP6060N , CEP6086 , CEP6086L , CEP60N06G .

History: IXTH75N10L2 | UF830L-TM3-T | AP2864I-A-HF | PH1330AL | ZXMP10A13FTA | RJU003N03FRA

 

 
Back to Top

 


 
.