CEP540N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEP540N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 196 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.053 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для CEP540N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEP540N даташит

 ..1. Size:407K  cet
 cep540n ceb540n cef540n.pdf pdf_icon

CEP540N

CEP540N/CEB540N CEF540N N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V, 36A, RDS(ON) = 53m @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. D TO-220 & TO-263 package. G CEB SERIES CEF SERIES CEP SERIES TO-263(DD-PAK) TO-220F S TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C

 8.1. Size:681K  cet
 cep540l ceb540l cef540l.pdf pdf_icon

CEP540N

CEP540L/CEB540L CEF540L N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V, 36A, RDS(ON) = 50m @VGS = 10V. RDS(ON) = 53m @VGS = 5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-220 & TO-263 package. G CEB SERIES CEF SERIES CEP SERIES TO-263(DD-PAK) TO-220F S TO-220 ABS

Другие IGBT... CEP3100, CEP3120, CEP3205, CEP4060A, CEP4060AL, CEP45N10, CEP50N10, CEP540L, IRF4905, CEP6036, CEP6042, CEP6056, CEP6060L, CEP6060N, CEP6086, CEP6086L, CEP60N06G