Справочник MOSFET. CEP6186

 

CEP6186 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEP6186
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для CEP6186

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEP6186 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:432K  cet
 cep6186 ceb6186.pdf pdf_icon

CEP6186

CEP6186/CEB6186N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES60V, 33A, RDS(ON) = 25m @VGS = 10V. RDS(ON) = 32m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 2

Другие MOSFET... CEP6042 , CEP6056 , CEP6060L , CEP6060N , CEP6086 , CEP6086L , CEP60N06G , CEP60N10 , RFP50N06 , CEF630N , CEF730G , CEF740A , CEF740G , CEF80N15 , CEF830G , CEF840A , CEF840G .

History: DMP2069UFY4 | DMP3013SFV-7 | SIJ482DP | TTG160N03GT | IXTQ30N60P | NCE60NF200K | TTD90N03AT

 

 
Back to Top

 


 
.