Справочник MOSFET. CEF630N

 

CEF630N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEF630N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для CEF630N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEF630N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:369K  cet
 cep630n ceb630n cef630n.pdf pdf_icon

CEF630N

CEP630N/CEB630N CEF630NN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP630N 200V 0.36 9A 10VCEB630N 200V 0.36 9A 10VCEF630N 200V 0.36 9A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIESTO-263(DD-PAK)

Другие MOSFET... CEP6056 , CEP6060L , CEP6060N , CEP6086 , CEP6086L , CEP60N06G , CEP60N10 , CEP6186 , 4N60 , CEF730G , CEF740A , CEF740G , CEF80N15 , CEF830G , CEF840A , CEF840G , CEF840L .

History: DMN601VK | IRF1503S | IRFU3418PBF | IXTK32P60P | SGSP592 | CJ2324 | HGP045N15S

 

 
Back to Top

 


 
.