Справочник MOSFET. CEF740G

 

CEF740G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CEF740G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 35.6 nC
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для CEF740G

 

 

CEF740G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:413K  cet
 cep740g ceb740g cef740g.pdf

CEF740G CEF740G

CEP740G/CEB740G CEF740GN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP740G 400V 0.55 10A 10VCEB740G 400V 0.55 10A 10VCEF740G 400V 0.55 10A e 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GSCEB SERIES CEP SERIES CEF SERIEST

 8.1. Size:434K  cet
 cep740a ceb740a cef740a.pdf

CEF740G CEF740G

CEP740A/CEB740ACEF740AN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP740A 400V 0.55 10A 10VCEB740A 400V 0.55 10A 10VCEF740A 400V 0.55 10A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIESTO-263(D

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top