CEF830G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEF830G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для CEF830G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEF830G даташит

 ..1. Size:396K  cet
 cep830g ceb830g cef830g.pdf pdf_icon

CEF830G

CEP830G/CEB830G CEF830G N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP830G 500V 1.5 5A 10V CEB830G 500V 1.5 5A 10V CEF830G 500V 1.5 5A e 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. G S CEB SERIES CEP SERIES CEF SERIES TO-263(

Другие IGBT... CEP60N06G, CEP60N10, CEP6186, CEF630N, CEF730G, CEF740A, CEF740G, CEF80N15, IRF530, CEF840A, CEF840G, CEF840L, CEF85N75, CEB630N, CEB730G, CEB73A3G, CEB740A