Справочник MOSFET. CEF830G

 

CEF830G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEF830G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для CEF830G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEF830G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:396K  cet
 cep830g ceb830g cef830g.pdf pdf_icon

CEF830G

CEP830G/CEB830G CEF830GN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP830G 500V 1.5 5A 10VCEB830G 500V 1.5 5A 10VCEF830G 500V 1.5 5A e 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GSCEB SERIES CEP SERIES CEF SERIESTO-263(

Другие MOSFET... CEP60N06G , CEP60N10 , CEP6186 , CEF630N , CEF730G , CEF740A , CEF740G , CEF80N15 , AO4407 , CEF840A , CEF840G , CEF840L , CEF85N75 , CEB630N , CEB730G , CEB73A3G , CEB740A .

History: SPA04N80C3 | APT8020LFLLG

 

 
Back to Top

 


 
.